Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (8)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Bletskan D$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Bletskan D. I. 
Structure and photo-electric properties of crystals PbGa2S4 and PbGa2S4 [Електронний ресурс] / D. I. Bletskan, Yu. V. Voroshilov, I. M. Durdinets, V. M. Kabacij, V. M. Golovey // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 1999. - Вип. 4. - С. 168-176. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_1999_4_30
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.04 Mb    Зміст випуску     Цитування
2.

Bletskan D. I. 
Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li2SiS3 [Електронний ресурс] / D. I. Bletskan, V. V. Vakulchak, K. E. Glukhov, O. A. Mykaylо // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 1. - С. 48-54. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_1_8
The calculations of a band structure E(k), the total N(E) and partial densities of electron states, as well as spatial distribution of the valence charge <$Erho>(r) for the equilibrium (e) and metastable (m) phases of superionic Li2SiS3 were performed in a local approximation of the density functional theory (DFT) from the first principles for pseudopotentials in the basis of numerical pseudoatomic orbitals. The total density of states in the valence band calculated all over the Brillouin zone for both crystalline phases Li2SiS3 was compared to the experimental X-ray photoelectron spectra of the equilibrium, metastable and glassy phases. It is a good agreement between the calculation and experimental results for all bands of crystalline and glassy phases.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.905 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Bletskan M. M. 
Electronic structure of PbSnS3 and PbGeS3 semiconductor compounds with the mixed cation coordination [Електронний ресурс] / M. M. Bletskan, D. I. Bletskan, V. M. Kabatsii // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 12-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 982.57 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Bletskan D. I. 
Electronic structure of Ag8GeS6 [Електронний ресурс] / D. I. Bletskan, I. P. Studenyak, V. V. Vakulchak, A. V. Lukach // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 19-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 556.977 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Bletskan D. I. 
Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment [Електронний ресурс] / D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 98-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_20
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.108 Mb    Зміст випуску     Цитування
6.

Bletskan D. I. 
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2 [Електронний ресурс] / D. I. Bletskan, V. V. Frolova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 345-359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_6
It was performed the systematic investigation of chemical modification regularities of electronic structure at the composition changes of "ideal" 2H-SnS2 crystal by using the self-consistent density functional theory method in the supercell model. It was analyzed the phases obtained during doping the sulfur sublattice by substitutional impurity <$Eroman {Y~symbol О~S}> (Y = Cl, I) as well as during changing tin disulfide structure due to the appearance of atomic vacancies in cation and anion sublattices (non-stoichiometry effects).
Попередній перегляд:   Завантажити - 4.725 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Bletskan D. I. 
Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3 [Електронний ресурс] / D. I. Bletskan, V. V. Vakulchak, I. P. Studenyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 3. - С. 267-276. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_3_4
In the framework of the density functional theory (DFT) in the approximation of local density adjusted for the strong correlation (LDA+U method), calculated were the band structure, total and partial densities of electronic states, as well as the spatial distribution of the electron density. According to the results of the calculation, Si2Te3 is an indirect-gap semiconductor with the calculated band gap <$E roman {E sub gi sup calc~=~2,05}> eV, close to the experimentally measured <$E roman {E sub g sup opt~=~2,13}> eV. The absorption edge and photoconductivity spectra of Si2Te3 crystal within the temperature range 80 - 293 K have been measured. It has been shown that the dependence of the absorption coefficient on the photon energy is described by the Urbach rule. The parameter <$E sigma sub 0>, associated with the constant of electron-phonon interaction, and the energy of effective phonons <$E h omega sub ph>, involved in formation of the absorption edge of crystalline Si2Te3, were determined using the temperature dependence of the absorption edge slope. Deviation from the stoichiometric composition in the direction of excess tellurium significantly affects the spectral distribution of the photoconductivity of Si2Te3 crystals.
Попередній перегляд:   Завантажити - 5.559 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського